Цоколевка транзистора TIP30B

|

Характеристики транзистора TIP30B

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 30 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 15 до 75
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
• Корпус: TO-220

Комплементарная пара

Комплементарной парой для TIP30B является транзистор TIP29B c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор TIP30B можно заменить на 2N6475, 2N6476, BD710, BD712, BD910, BD912, BDT30BF, BDT30CF, BDT42B, BDT42BF, BDT42C, BDT42CF, D44C10, D45C10, MJE5170, MJE5171, MJE5172, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, NTE292, TIP30BG, TIP30C, TIP30CG, TIP42B, TIP42BG, TIP42C, TIP42CF, TIP42CG