Цоколевка транзистора TIP30G

|

Характеристики транзистора TIP30G

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -40 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -40 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 30 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 15 до 75
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
• Корпус: TO-220

Комплементарная пара

Комплементарной парой для TIP30G является транзистор TIP29G c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор TIP30G можно заменить на 2N6475, 2N6476, BD706, BD708, BD710, BD712, BD906, BD908, BD910, BD912, BDT30AF, BDT30BF, BDT30CF, BDT30F, BDT42, BDT42A, BDT42AF, BDT42B, BDT42BF, BDT42C, BDT42CF, BDT42F, D44C10, D44C4, D44C7, D45C10, D45C4, D45C7, MJE5170, MJE5171, MJE5172, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, NTE292, TIP30, TIP30A, TIP30AG, TIP30B, TIP30BG, TIP30C, TIP30CG, TIP42, TIP42A, TIP42AG, TIP42B, TIP42BG, TIP42C, TIP42CF, TIP42CG, TIP42G