Цоколевка транзистора TIP32D

|

Характеристики транзистора TIP32D

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -120 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -160 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -3 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 10 до 50
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
• Корпус: TO-220

Комплементарная пара

Комплементарной парой для TIP32D является транзистор TIP31D c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор TIP32D можно заменить на TIP32E, TIP32F