Цоколевка транзистора TIP36B

|

Характеристики транзистора TIP36B

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -25 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 125 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 15 до 75
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
• Корпус: TO-247

Комплементарная пара

Комплементарной парой для TIP36B является транзистор TIP35B c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор TIP36B можно заменить на TIP36BG, TIP36C, TIP36CG