Цоколевка транзистора TIP640

|

Характеристики транзистора TIP640

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 10 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 175 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000
• Корпус: TO-3

Комплементарная пара

Комплементарной парой для TIP640 является транзистор TIP645 c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор TIP640 можно заменить на 2N6384, 2N6385, BDX65, BDX65A, BDX65B, BDX65C, BDX67, BDX67A, BDX67B, BDX67C, BDX69, BDX69A, BDX69B, BDX69C, MJ11012, MJ11012G, MJ11014, MJ11014G, MJ11016, MJ11016G, MJ11028, MJ11028G, MJ11030, MJ11030G, MJ11032, MJ11032G, MJ3000, MJ3001, MJ4033, MJ4034, MJ4035, TIP600, TIP601, TIP602, TIP641, TIP642