Цоколевка транзистора TIP642

|

Характеристики транзистора TIP642

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 10 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 175 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000
• Корпус: TO-3

Комплементарная пара

Комплементарной парой для TIP642 является транзистор TIP647 c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор TIP642 можно заменить на BDX65B, BDX65C, BDX67B, BDX67C, BDX69B, BDX69C, MJ11016, MJ11016G, MJ11032, MJ11032G, MJ4035, TIP602