Цоколевка транзистора TTB1020B

|

Характеристики транзистора TTB1020B

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -7 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 30 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 2000 до 15000
• Корпус: TO-220F

Комплементарная пара

Комплементарной парой для TTB1020B является транзистор TTD1415B c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор TTB1020B можно заменить на 2N6042, 2N6042G, 2SB1020, 2SB1020A, 2SB673, BD544C, BD546C, BD650, BD652, BD802, BD902, BDT62B, BDT62C, BDT64B, BDT64C, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW47, BDW47G, BDW48, BDW74C, BDW74D, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, BDX54C, BDX54CG, BDX54D, BDX54E, BDX54F, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE15033, MJE15033G, MJE15035, MJE15035G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, MJF15031, MJF15031G, TIP107, TIP107G, TIP137, TIP137G, TIP147T