Цоколевка транзистора IRF1010ES

|

Характеристики транзистора IRF1010ES

• Корпус — D2-PAK
• Напряжение пробоя сток-исток 60 В
• Максимальное напряжение затвора 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 12.0 мОм
• Ток стока 83 А
• Заряд затвора 86.6 нКл
• Термосопротивление 0.90 К/Вт
• Рассеиваемая мощность 170 Вт