Цоколевка транзистора IRF1010NS

|

Характеристики транзистора IRF1010NS

• Корпус — D2-PAK
• Напряжение пробоя сток-исток 55 В
• Максимальное напряжение затвора 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 11.0 мОм
• Ток стока 84 А
• Заряд затвора 80.0 нКл
• Термосопротивление 0.85 К/Вт
• Рассеиваемая мощность 3.8 Вт