Цоколевка транзистора IRF6603

|

Характеристики транзистора IRF6603

• Корпус — DIRECTFET MT
• Напряжение пробоя сток-исток 30 В
• Максимальное напряжение затвора 12 В
• Сопротивление в открытом состоянии 3.4 мОм
• Заряд затвора 86.0 нКл
• Термосопротивление 3 К/Вт
• Рассеиваемая мощность 42 Вт