Цоколевка транзистора IRF6604

|

Характеристики транзистора IRF6604

• Корпус — DIRECTFET MQ
• Напряжение пробоя сток-исток 30 В
• Максимальное напряжение затвора 12 В
• Сопротивление в открытом состоянии 11.5 мОм
• Заряд затвора 20.0 нКл
• Термосопротивление 3.0 К/Вт
• Рассеиваемая мощность 42 Вт