Цоколевка транзистора IRF6609

|

Характеристики транзистора IRF6609

• Корпус — DIRECTFET MT
• Напряжение пробоя сток-исток 20 В
• Максимальное напряжение затвора 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 2.0 мОм
• Заряд затвора 46.0 нКл
• Термосопротивление 1.4 К/Вт
• Рассеиваемая мощность 89 Вт