Цоколевка транзистора IRF6612

|

Характеристики транзистора IRF6612

• Корпус — DIRECTFET MX
• Напряжение пробоя сток-исток 30 В
• Максимальное напряжение затвора 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 3.3 мОм
• Заряд затвора 30.0 нКл
• Термосопротивление 1.4 К/Вт
• Рассеиваемая мощность 89 Вт