Цоколевка транзистора IRF6617

|

Характеристики транзистора IRF6617

• Корпус — DIRECTFET ST
• Напряжение пробоя сток-исток 30 В
• Максимальное напряжение затвора 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 8.1 мОм
• Заряд затвора 11.0 нКл
• Термосопротивление 3.0 К/Вт
• Рассеиваемая мощность 42 Вт