Цоколевка транзистора IRF6622

|

Характеристики транзистора IRF6622

• Корпус — DIRECTFET SQ
• Напряжение пробоя сток-исток 25 В
• Максимальное напряжение затвора 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 6.3 мОм
• Заряд затвора 11.0 нКл
• Термосопротивление 3.7 К/Вт
• Рассеиваемая мощность 34 Вт