Цоколевка транзистора IRF6629

|

Характеристики транзистора IRF6629

• Корпус — DIRECTFET MX
• Напряжение пробоя сток-исток 25 В
• Максимальное напряжение затвора 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 2.1 мОм
• Заряд затвора 34.0 нКл
• Термосопротивление 1.2 К/Вт
• Рассеиваемая мощность 100 Вт