Цоколевка транзистора IRF6633

|

Характеристики транзистора IRF6633

• Корпус — DIRECTFET MP
• Напряжение пробоя сток-исток 20 В
• Максимальное напряжение затвора 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 5.6 мОм
• Заряд затвора 11.0 нКл
• Термосопротивление 3.0 К/Вт
• Рассеиваемая мощность 89 Вт