Цоколевка транзистора IRF6665

|

Характеристики транзистора IRF6665

• Корпус — DIRECTFET SH
• Напряжение пробоя сток-исток 100 В
• Максимальное напряжение затвора 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 62.0 мОм
• Заряд затвора 8.7 нКл
• Термосопротивление 3.0 К/Вт
• Рассеиваемая мощность 42 Вт