Цоколевка транзистора IRF6674

|

Характеристики транзистора IRF6674

• Корпус — DIRECTFET MZ
• Напряжение пробоя сток-исток 60 В
• Максимальное напряжение затвора 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 11.0 мОм
• Ток стока 67 А
• Заряд затвора 24.0 нКл
• Термосопротивление 1.4 К/Вт
• Рассеиваемая мощность 89 Вт