Цоколевка транзистора IRF6678

|

Характеристики транзистора IRF6678

• Корпус — DIRECTFET MX
• Напряжение пробоя сток-исток 30 В
• Максимальное напряжение затвора 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 2.2 мОм
• Заряд затвора 43.0 нКл
• Термосопротивление 1.4 К/Вт
• Рассеиваемая мощность 89 Вт