Цоколевка транзистора IRF6691

|

Характеристики транзистора IRF6691

• Корпус — DIRECTFET MT
• Напряжение пробоя сток-исток 20 В
• Максимальное напряжение затвора 12 В
• Сопротивление в открытом состоянии 1.8 мОм
• Заряд затвора 47.0 нКл
• Термосопротивление 1.4 К/Вт
• Рассеиваемая мощность 2.0 Вт