Цоколевка транзистора IRF6706S2

|

Характеристики транзистора IRF6706S2

• Корпус — DIRECTFET S1
• Напряжение пробоя сток-исток 25 В
• Максимальное напряжение затвора 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 3.8 мОм
• Ток стока 63 А
• Заряд затвора 13.0 нКл
• Термосопротивление 5.7 К/Вт
• Рассеиваемая мощность 26 Вт