Цоколевка транзистора IRF6709S2

|

Характеристики транзистора IRF6709S2

• Корпус — DIRECTFET S1
• Напряжение пробоя сток-исток 25 В
• Максимальное напряжение затвора 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 7.8 мОм
• Ток стока 39 А
• Заряд затвора 8.1 нКл
• Термосопротивление 7.2 К/Вт
• Рассеиваемая мощность 21 Вт