Цоколевка транзистора IRF6712S

|

Характеристики транзистора IRF6712S

• Корпус — DIRECTFET SQ
• Напряжение пробоя сток-исток 25 В
• Максимальное напряжение затвора 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 4.9 мОм
• Заряд затвора 13.0 нКл
• Термосопротивление 3.5 К/Вт
• Рассеиваемая мощность 36 Вт