Цоколевка транзистора IRF6725M

|

Характеристики транзистора IRF6725M

• Корпус — DIRECTFET MX
• Напряжение пробоя сток-исток 30 В
• Максимальное напряжение затвора 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 2.2 мОм
• Ток стока 170 А
• Заряд затвора 36.0 нКл
• Термосопротивление 1.2 К/Вт
• Рассеиваемая мощность 100 Вт