Цоколевка транзистора IRF6726M

|

Характеристики транзистора IRF6726M

• Корпус — DIRECTFET MT
• Напряжение пробоя сток-исток 30 В
• Максимальное напряжение затвора 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 1.7 мОм
• Ток стока 180 А
• Заряд затвора 51.0 нКл
• Термосопротивление 1.4 К/Вт
• Рассеиваемая мощность 89 Вт