Цоколевка транзистора IRF6729M

|

Характеристики транзистора IRF6729M

• Корпус — DIRECTFET MX
• Напряжение пробоя сток-исток 30 В
• Максимальное напряжение затвора 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 1.8 мОм
• Ток стока 190 А
• Заряд затвора 42.0 нКл
• Термосопротивление 1.2 К/Вт
• Рассеиваемая мощность 104 Вт