Цоколевка транзистора IRF6775M

|

Характеристики транзистора IRF6775M

• Корпус — DIRECTFET MZ
• Напряжение пробоя сток-исток 150 В
• Максимальное напряжение затвора 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 56.0 мОм
• Ток стока 28 А
• Заряд затвора 25.0 нКл
• Термосопротивление 1.4 К/Вт
• Рассеиваемая мощность 89 Вт