Цоколевка транзистора IRF6810S

|

Характеристики транзистора IRF6810S

• Корпус — DIRECTFET S1
• Напряжение пробоя сток-исток 25 В
• Максимальное напряжение затвора 16 В
• Сопротивление в открытом состоянии 5.2 мОм
• Заряд затвора 7.4 нКл
• Термосопротивление 6.3 К/Вт
• Рассеиваемая мощность 20 Вт