Цоколевка транзистора IRF7478Q

|

Характеристики транзистора IRF7478Q

• Корпус — SO-8
• Напряжение пробоя сток-исток 60 В
• Максимальное напряжение затвора 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 26.0 мОм
• Заряд затвора 21.0 нКл
• Термосопротивление 50 (JA) К/Вт