Цоколевка транзистора IRF7665S2

|

Характеристики транзистора IRF7665S2

• Корпус — DIRECTFET SB
• Напряжение пробоя сток-исток 100 В
• Максимальное напряжение затвора 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 62.0 мОм
• Ток стока 14.4 А
• Заряд затвора 8.3 нКл
• Термосопротивление 62.5 (JA) К/Вт
• Рассеиваемая мощность 30 Вт