Цоколевка транзистора IRF7759L2

|

Характеристики транзистора IRF7759L2

• Корпус — DIRECTFET L8
• Напряжение пробоя сток-исток 75 В
• Максимальное напряжение затвора 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 2.3 мОм
• Ток стока 160 А
• Заряд затвора 200.0 нКл
• Термосопротивление 1.2 К/Вт
• Рассеиваемая мощность 125 Вт