Цоколевка транзистора IRF7779L2

|

Характеристики транзистора IRF7779L2

• Корпус — DIRECTFET L8
• Напряжение пробоя сток-исток 150 В
• Максимальное напряжение затвора 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 11.0 мОм
• Ток стока 67 А
• Заряд затвора 97.0 нКл
• Термосопротивление 1.2 К/Вт
• Рассеиваемая мощность 125 Вт