Цоколевка транзистора IRF7807D1

|

Характеристики транзистора IRF7807D1

• Корпус — SO-8
• Напряжение пробоя сток-исток 30 В
• Максимальное напряжение затвора 12 В
• Сопротивление в открытом состоянии 25.0 мОм
• Термосопротивление 50 (JA) К/Вт