Цоколевка транзистора IRF7807Z

|

Характеристики транзистора IRF7807Z

• Корпус — SO-8
• Напряжение пробоя сток-исток 30 В
• Максимальное напряжение затвора 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 13.8 мОм
• Заряд затвора 7.2 нКл
• Термосопротивление 50 (JA) К/Вт