Цоколевка транзистора IRF7809AV

|

Характеристики транзистора IRF7809AV

• Корпус — SO-8
• Напряжение пробоя сток-исток 30 В
• Максимальное напряжение затвора 12 В
• Сопротивление в открытом состоянии 9.0 мОм
• Заряд затвора 41.0 нКл
• Термосопротивление 50 (JA) К/Вт