Цоколевка транзистора IRF8707G

|

Характеристики транзистора IRF8707G

• Корпус — SO-8
• Напряжение пробоя сток-исток 30 В
• Максимальное напряжение затвора 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 11.9 мОм
• Заряд затвора 6.2 нКл
• Термосопротивление 50 (JA) К/Вт