Цоколевка транзистора IRFH5010

|

Характеристики транзистора IRFH5010

• Корпус — PQFN 5 X 6 B
• Напряжение пробоя сток-исток 100 В
• Максимальное напряжение затвора 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 9.0 мОм
• Ток стока 100 А
• Заряд затвора 65.0 нКл
• Термосопротивление 0.50 К/Вт
• Рассеиваемая мощность 250 Вт