Цоколевка транзистора 1Т813В

|

Обозначение транзистора 1Т813В на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора 1Т813В обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.

|

Характеристики транзистора 1Т813В

• Структура p-n-p
• Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 150 В
• Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 150 В
• Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 30000(40000) мА
• Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 1.5(50) Вт
• Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 10-60
• Обратный ток коллектора 5 МГц