Цоколевка транзистора 2Т709Б2

|

Обозначение транзистора 2Т709Б2 на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора 2Т709Б2 обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.

|

Характеристики транзистора 2Т709Б2

• Структура p-n-p
• Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 80 В
• Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 80 В
• Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 10000 (20000) мА
• Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 1(30) Вт
• Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером =>750
• Обратный ток коллектора 5 МГц
• Коэффициент шума биполярного транзистора