Цоколевка транзистора 2Т812Б

|

Обозначение транзистора 2Т812Б на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора 2Т812Б обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную от базы.

|

Характеристики транзистора 2Т812Б

• Структура n-p-n
• Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 500 В
• Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 500 В
• Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 10000 (17000) мА
• Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) (50) Вт
• Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером =>5
• Обратный ток коллектора 3 МГц
• Коэффициент шума биполярного транзистора