Цоколевка транзистора ГТ308В

|

Обозначение транзистора ГТ308В на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора ГТ308В обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.

|

Характеристики транзистора ГТ308В

• Структура p-n-p
• Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 20 В
• Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 50 мА
• Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0,15 Вт
• Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 80…200
• Обратный ток коллектора 2 мкА
• Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером 120 МГц
• Коэффициент шума биполярного транзистора 8 дБ