Транзистор КТ506Б

Цоколевка транзистора КТ506Б

|Цоколевка и размеры транзистора КТ506Б

Обозначение транзистора КТ506Б на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора КТ506Б обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную от базы.

|Обозначение транзистора КТ506Б на схемах

Характеристики транзистора КТ506Б

  • Структура n-p-n
  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 600 В
  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 600 В
  • Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 2000(5000) мА
  • Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0.8(10) Вт
  • Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 30-150
  • Обратный ток коллектора 10 МГц