Транзистор КТ816Б

Цоколевка транзистора КТ816Б

|Цоколевка и размеры транзистора КТ816Б

Обозначение транзистора КТ816Б на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора КТ816Б обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.

|Обозначение транзистора КТ816Б на схемах

Характеристики транзистора КТ816Б

  • Структура p-n-p
  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 45 В
  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 45 В
  • Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 3000(6000) мА
  • Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 1(25) Вт
  • Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 25-275
  • Обратный ток коллектора 3 МГц
  • Коэффициент шума биполярного транзистора